[01161909]一种提高磁电阻随机存储器高速缓存抗错能力的方法
联系人：
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
登录后向技术服务商咨询
发布技术需求
服务免费，交易还可领红包哦
技术详细介绍
本发明提供了一种提高磁电阻随机存储器高速缓存抗错能力的方法,可有效纠正或容忍随机存写错误,实现较低的存写电压或较快的存写速度。其存写操作采用递归式“写-读-校验”技术代替传统存写操作,以纠正由于改进存写容限或存写速度导致的随机存写错误。所述“写-读-校验”技术指在将数据写入MRAM高速缓存后立即读出,并与写入数据对比;若出错,则重复“写-读-校验”操作直至所有数据位编程正确。在基于“写-读-校验”操作下,采用在MRAM高速缓存中增加错误校验码或错误记录缓存逻辑,增加MRAM高速缓存的容错能力,减少由“写-读-校验”操作带来的处理器性能下降。