[00116786]新型电子热管理封装铝瓷（AlSiC）材料
交易价格：
面议
所属行业：
微电子
类型：
非专利
技术成熟度：
通过小试
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
技术转让
技术转让
联系人：
西北工业大学深圳研究院
进入空间
所在地：广东深圳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
电子元器件工作频率和功率密度的不断上升将使电子封装热管理问题更加突出，研制并提供该问题的解决方案将成为未来几年的首要问题，针对半导体封装高度各异的情况，必须要开发出先进的热传导材料及技术。
长期以来，电子封装热管理问题典型的解决方案是：要么用金属材料，要么用陶瓷材料，或者采用折中的方案。传统散热材料（如Al和Cu）的热膨胀系数远大于陶瓷基片（如Al2O3）或半导体材料（硅、砷化镓等）器件的热膨胀系数，导致两者之间容易引起陶瓷开裂而使电子产品失效。更先进的封装材料如Cu/W和Cu/Mo等提供高热导率和相容的热膨胀系数，但密度大、成本高、且只能制成简单的平板状。
传统材料不再适用于高功率密度器件的封装。过去大量使用的铝、铜、可伐等已不能满足这种高功率密度的要求：
1) 铝、铜与半导体材料硅、砷化镓和陶瓷基片等材料的热膨胀系数相差过大，容易产生热应力，导致疲劳失效。据报道，当两种接触材料的热膨胀系数差异达到12ppm/K时，仅100次热循环就会出现电子热疲劳失效；
2) 可伐的热膨胀系数与硅、砷化镓、陶瓷的接近，但其导热性能太差，容易引起元器件的温升，芯片工作温度的升高会以幂级数的速度减低芯片的寿命；
3) 钨、钼及钨/铜、钨/钼等材料的热膨胀系数与硅、砷化镓、陶瓷的接近，导热导电性能也较好，但其密度大、成本高、难以制得形状复杂的零件。
本项目的解决方案有独到之处，它是将金属的高导热性与陶瓷的低热膨胀性结合起来，创造了可以满足多功能特性及设计要求的铝碳化硅封装材料，从而大大改善系统的可靠性。AlSiC，学名铝碳化硅，简称铝瓷，是金属铝与碳化硅陶瓷的复合物。高体积分数铝碳化硅（AlSiC）金属基热管理复合材料，是电子元器件专用封装材料，主要是指将铝与高体积分数的碳化硅复合成为低密度、高导热率和低膨胀系数的封装材料，以解决电子电路的热失效问题。
电子元器件工作频率和功率密度的不断上升将使电子封装热管理问题更加突出，研制并提供该问题的解决方案将成为未来几年的首要问题，针对半导体封装高度各异的情况，必须要开发出先进的热传导材料及技术。
长期以来，电子封装热管理问题典型的解决方案是：要么用金属材料，要么用陶瓷材料，或者采用折中的方案。传统散热材料（如Al和Cu）的热膨胀系数远大于陶瓷基片（如Al2O3）或半导体材料（硅、砷化镓等）器件的热膨胀系数，导致两者之间容易引起陶瓷开裂而使电子产品失效。更先进的封装材料如Cu/W和Cu/Mo等提供高热导率和相容的热膨胀系数，但密度大、成本高、且只能制成简单的平板状。
传统材料不再适用于高功率密度器件的封装。过去大量使用的铝、铜、可伐等已不能满足这种高功率密度的要求：
1) 铝、铜与半导体材料硅、砷化镓和陶瓷基片等材料的热膨胀系数相差过大，容易产生热应力，导致疲劳失效。据报道，当两种接触材料的热膨胀系数差异达到12ppm/K时，仅100次热循环就会出现电子热疲劳失效；
2) 可伐的热膨胀系数与硅、砷化镓、陶瓷的接近，但其导热性能太差，容易引起元器件的温升，芯片工作温度的升高会以幂级数的速度减低芯片的寿命；
3) 钨、钼及钨/铜、钨/钼等材料的热膨胀系数与硅、砷化镓、陶瓷的接近，导热导电性能也较好，但其密度大、成本高、难以制得形状复杂的零件。
本项目的解决方案有独到之处，它是将金属的高导热性与陶瓷的低热膨胀性结合起来，创造了可以满足多功能特性及设计要求的铝碳化硅封装材料，从而大大改善系统的可靠性。AlSiC，学名铝碳化硅，简称铝瓷，是金属铝与碳化硅陶瓷的复合物。高体积分数铝碳化硅（AlSiC）金属基热管理复合材料，是电子元器件专用封装材料，主要是指将铝与高体积分数的碳化硅复合成为低密度、高导热率和低膨胀系数的封装材料，以解决电子电路的热失效问题。
