[01158568]基于SOI晶圆的MEMS结构制作及划片方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于SOI晶圆的MEMS结构制作及划片方法,属于微机电系统微细加工和晶圆划片领域。该方法的关键在于利用ICP刻蚀的高深宽比效应,采用一张MEMS结构掩膜版与一张与其对应的掩膜版,对SOI晶圆的正反两面进行常规的MEMS加工工艺,包括涂胶、光刻、刻蚀、释放等,实现MEMS结构制作与晶圆划片同步完成。本发明的优点： （1）无机械振动,无应力损伤,无发热,无切屑产生,无污染,成品率高; （2）不需要昂贵的划片设备,在现有MEMS工艺设备基础上即可完成,成本低; （3）MEMS结构的制作过程与划片过程同步完成,效率高。 （4）无需添加临时性或永久性保护层,不影响器件与外界信息的交互,释放是与划片同时完成的,中间工艺不致对MEMS可动结构造成破坏。