[01113927]凹槽Г栅高电子迁移率晶体管及其制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种凹槽Γ栅高电子迁移率晶体管及其制作方法,该器件自下而上包括衬底（1）、过渡层（2）、势垒层（3）、源极（4）、漏极（5）、钝化层（7）、Γ栅（9）和保护层（11）,该势垒层（3）上开有第一凹槽（6）,该钝化层（7）上开有第二凹槽（8）,其中,钝化层（7）上淀积有n个浮空场板（10）,n≥1,与Γ栅构成复合的栅场板结构。每个浮空场板大小相同,相互独立,且相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自Γ栅到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板处于浮空状态,并与Γ栅通过一次工艺完成。本发明具有成品率高、频率特性好和输出功率高的优点,可制作基于III-V族化合物半导体异质结结构的高频大功率器件。