[00111533]双色铟镓砷红外探测器及其制备方法和应用
交易价格：
面议
所属行业：
类型：
专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200610034286.0
交易方式：
技术转让
联系人：
华南师范大学
进入空间
所在地：广东广州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及一种双色铟镓砷(InGaAs)红外探测器，是在铟磷((InP)衬底上依次生长有InX Ga1-X As材料的适合探测3-5μm红外线波的光导层、绝缘层，适合探测1-3μm红外线波的PIN结构的InGaAs材料层。所述的红外探测器的制备方法是用金属有机气相淀积技术在InP衬底上生长InGaAs材料，制备一种对1-3μm、3-5μm两个波段同时探测的红外外延片，再用该外延片制造两个波段的红外探测器。该红外探测器可以用于制备多方向测量红外信号器件。
本发明涉及一种双色铟镓砷(InGaAs)红外探测器，是在铟磷((InP)衬底上依次生长有InX Ga1-X As材料的适合探测3-5μm红外线波的光导层、绝缘层，适合探测1-3μm红外线波的PIN结构的InGaAs材料层。所述的红外探测器的制备方法是用金属有机气相淀积技术在InP衬底上生长InGaAs材料，制备一种对1-3μm、3-5μm两个波段同时探测的红外外延片，再用该外延片制造两个波段的红外探测器。该红外探测器可以用于制备多方向测量红外信号器件。
