技术详细介绍
1．主要研究内容：
研制出适应我国满足12″线宽0.13-0.09μm超大规模集成电路(vLsl)抛光片前工序提供生长硅单晶的电子专用设备。
2．项目意义：
直拉法单晶生长炉是单晶硅生产的重要装备，对于集成电路产业发展具有重大的意义。目前对于8英寸炉国内已经能够生产，但是自动化程度低，生产效率低，对于工艺过程的控制能力有限，且只能生产用于太阳能发电的单晶硅，无法生产用于集成电路的高质量单晶硅。美国KAYEX公司、德国的CGS公司已经开发出了技术比较成熟的12英寸单晶炉。但国外进口设备价格昂贵，关键技术对中国封锁。
3．该项目的主要技术经济指标：
晶体规格：12″(IC)
熔硅量：150-250kg／
产能：20t／年
成品率：≥70％
产业化目标：50台套／年，
同时满足8″(Pv)
产能2Mw／台
年产值：1.95亿元
年利润：3500万元
节汇：2560万美元
形成具有自主知识产权的大直径单晶
生长设备，达到国际先进水平
4．关键技术与创新点：
a。采用新型传动元件，高精密度传动系统；
b．CCD图像测控晶体直径，全自动等径控制系统；
c．高密封性磁流体密封技术，炉室压升率高(压升率＜1pa／h，极限真空度＜1pa)；
d．大量程晶体称重及激光液面测距系统：
e．高精度光纤液面测温系统；
f..高精密度大功率加热控制系统；
g.高精密度氩气质量流量控制和炉膛压力控制系统；
h．拉晶全过程自动控制功能。