[00111211]垂直磁记录介质以及垂直磁记录和再现装置
交易价格：
面议
所属行业：
微电子
类型：
专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：200680009912.9
交易方式：
技术转让
联系人：
东北大学
进入空间
所在地：辽宁沈阳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
通过提高软磁性衬层的磁各向异性功能,本发明可以提供一种具有高记录密度的垂直记录介质,以及一种磁记录和再现装置,所述垂直记录介质在非磁性基底上至少具有软磁性衬层和垂直磁记录层,其中,当KU┴(ERG/CM3)被定义为所述软磁性衬层的垂直磁各向异性能,而MS(EMU/CM3)被定义为所述软磁性衬层的饱和磁化强度时,所述软磁性衬层的KU┴具有负值并且KU┴<-2ΠMS2。于是,软磁性衬层的易磁化轴被强烈地定向在所述基底表面平面内,这对于抑制WATE现象和尖锐噪声是有效的。
通过提高软磁性衬层的磁各向异性功能,本发明可以提供一种具有高记录密度的垂直记录介质,以及一种磁记录和再现装置,所述垂直记录介质在非磁性基底上至少具有软磁性衬层和垂直磁记录层,其中,当KU┴(ERG/CM3)被定义为所述软磁性衬层的垂直磁各向异性能,而MS(EMU/CM3)被定义为所述软磁性衬层的饱和磁化强度时,所述软磁性衬层的KU┴具有负值并且KU┴<-2ΠMS2。于是,软磁性衬层的易磁化轴被强烈地定向在所述基底表面平面内,这对于抑制WATE现象和尖锐噪声是有效的。
