[00111086]隧道磁阻效应膜和磁性装置
交易价格:
面议
所属行业:
微电子
类型:
专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:200710159763.0
交易方式:
技术转让
联系人:
东北大学
进入空间
所在地:辽宁沈阳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提供隧道磁阻效应膜和磁性装置。所述隧道磁阻效应膜是高度实用的隧道磁阻效应膜,具有可工作的负MR比率的特性,可在室温下使用。所述隧道磁阻效应膜包括:隧道势垒层;和夹着所述隧道势垒层的磁性层。磁性层之一由FEN构成。
本发明提供隧道磁阻效应膜和磁性装置。所述隧道磁阻效应膜是高度实用的隧道磁阻效应膜,具有可工作的负MR比率的特性,可在室温下使用。所述隧道磁阻效应膜包括:隧道势垒层;和夹着所述隧道势垒层的磁性层。磁性层之一由FEN构成。