[00110794]等离子体处理方法和等离子体蚀刻方法
交易价格：
面议
所属行业：
微电子
类型：
专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：200580023034.1
交易方式：
技术转让
联系人：
东北大学
进入空间
所在地：辽宁沈阳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明开发一种等离子体处理的方法,该等离子体处理使用没有温室效应的气体,以实现全球环境保护和等离子体工艺性能的改进,并提供一种可抑制器件损坏的高精度等离子体蚀刻方法。根据本发明的等离子体处理方法包括下面步骤:将含有氟气(F2) 的处理气体馈入等离子体生成腔,交替地重复施加停止施加高频电场,以生成等离子体,和通过将等离子体辐射到衬底来进行衬底处理。此外,衬底处理可如下进 行,单独或交替地从等离子体中获取阴离子或阳离子,或者选择性地只获取阴离子,将其中和,以生成中性束并将中性束辐射到衬底。
本发明开发一种等离子体处理的方法,该等离子体处理使用没有温室效应的气体,以实现全球环境保护和等离子体工艺性能的改进,并提供一种可抑制器件损坏的高精度等离子体蚀刻方法。根据本发明的等离子体处理方法包括下面步骤:将含有氟气(F2) 的处理气体馈入等离子体生成腔,交替地重复施加停止施加高频电场,以生成等离子体,和通过将等离子体辐射到衬底来进行衬底处理。此外,衬底处理可如下进 行,单独或交替地从等离子体中获取阴离子或阳离子,或者选择性地只获取阴离子,将其中和,以生成中性束并将中性束辐射到衬底。
