[00110373]谐振腔微波光电导晶体硅少子寿命测试仪
交易价格：
面议
所属行业：
类型：
非专利
技术成熟度：
正在研发
交易方式：
技术转让
联系人：
厦门大学
进入空间
所在地：福建厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
根据微波光电导的原理，采用谐振腔方案，检测晶体硅半导体材料的少子寿命。样品只要是片状晶体硅（多晶硅、多晶硅）即可。样品不必制备电极，属非破坏性快速检测，少子寿命检测范围：0.1μs到大于1ms，特别合适对低寿命的冶金法多晶硅少子寿命测量。测量误差：±15%；重复性良好。本方法国内首创，尚未见到同类工作的报道。大面积少子寿命的扫描检测，正在研发中。已申请发明专利1项。
少子寿命少子寿命是衡量半导体材料纯度和缺陷的重要电学参数，其大小直接决定半导体太阳电池的光电转换效率。目前的光电导衰减和反射式微波光电导都只能检测导1μs以上的寿命，不能检测低寿命的材料，所以本方法特别适合于冶金法多晶硅少子寿命的检测。检测仪器成本低，可获3倍以上的利润。
根据微波光电导的原理，采用谐振腔方案，检测晶体硅半导体材料的少子寿命。样品只要是片状晶体硅（多晶硅、多晶硅）即可。样品不必制备电极，属非破坏性快速检测，少子寿命检测范围：0.1μs到大于1ms，特别合适对低寿命的冶金法多晶硅少子寿命测量。测量误差：±15%；重复性良好。本方法国内首创，尚未见到同类工作的报道。大面积少子寿命的扫描检测，正在研发中。已申请发明专利1项。
少子寿命少子寿命是衡量半导体材料纯度和缺陷的重要电学参数，其大小直接决定半导体太阳电池的光电转换效率。目前的光电导衰减和反射式微波光电导都只能检测导1μs以上的寿命，不能检测低寿命的材料，所以本方法特别适合于冶金法多晶硅少子寿命的检测。检测仪器成本低，可获3倍以上的利润。
