[00110297]UMG-Si(高纯冶金硅)的一维激光扫描提纯
交易价格:
面议
所属行业:
微电子
类型:
非专利
技术成熟度:
正在研发
交易方式:
技术转让
联系人:
厦门大学
进入空间
所在地:福建厦门市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
用大功率一维激光扫描辐照4N-5N的UMG-Si(高纯冶金硅)多晶硅片,将其熔化、定向凝固提纯、生长成高纯的准单晶片,表面光亮,可直接用于制备太阳电池。试验结果表明多晶硅片的磷和各种金属杂质都有明显减少,制备出光电转化效率5%的太阳电池,已申请1项发明专利。
本方法简便、可连续性生产、效果明显,如果能进一步改进设备,提高提纯效果,将太阳电池光电转化效率提高到10%以上就具有广阔的应用前景。因为它可将很低成本的4N-5N多晶硅片直接提纯到太阳能级,应用制备低成本太阳电池。
用大功率一维激光扫描辐照4N-5N的UMG-Si(高纯冶金硅)多晶硅片,将其熔化、定向凝固提纯、生长成高纯的准单晶片,表面光亮,可直接用于制备太阳电池。试验结果表明多晶硅片的磷和各种金属杂质都有明显减少,制备出光电转化效率5%的太阳电池,已申请1项发明专利。
本方法简便、可连续性生产、效果明显,如果能进一步改进设备,提高提纯效果,将太阳电池光电转化效率提高到10%以上就具有广阔的应用前景。因为它可将很低成本的4N-5N多晶硅片直接提纯到太阳能级,应用制备低成本太阳电池。