[01083543]Ga分凝特性的二次离子质谱分析
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技术详细介绍
为给出受主杂质Ga通过SiO_2／Si系统实现开管掺杂过程的模型描述和Si体内遵循的主要分布规律，利用二次离子质谱分析(SIMS)、薄层电阻测量方法，对Ga在SiO_2／Si系下的扩散特性、硅表面及体内分布进行了系统研究，得出新的结论：(1)Ga在SiO_2中的固溶度较低而扩散系数很大，故形成线性分布形式，Ga在Si中的溶解度相比SiO_2很大，SiO_2-Si界面的分凝使其以较高平衡浓度分配入硅中，两者的连续确立了开管扩Ga模型。(2)在严格控制硅片温度Tsi、杂质源分解温度Tga_2O_3、反应气体流量CH_3，调整预沉积、再分布及其两者的重复组合，便可在硅内得到任意理想的杂质分布；(3)Ga原子是通过理想表面(SiO_2-Si界面)扩散入体内，避免与外界的接触沾污，获得了高均匀性、高重复性的扩散表面及非常平行的平面结。