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[00105087]高阻抗四探针测试仪

交易价格: 面议

所属行业: 电气电工

类型: 非专利

技术成熟度: 正在研发

交易方式: 技术转让

联系人: 中国科学技术大学

进入空间

所在地:安徽合肥市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

  半导体材料和器件研究方面,都需要对半导体的表面方块电阻进行测量。目前主要采用四探针测试仪测量半导体材料的方块电阻,但是,我们了解到,目前国内科研院所使用的四探针测试仪都是老式的用于硅单晶测量的,对于新兴的宽禁带半导体材料的电阻率测量无能为力,而由于国外的相关仪器产品价格昂贵,使得许多从事宽禁带半导体材料和器件研究的课题组没办法测出他们的需要的参数。   经过两年夜以继日的努力,我们设计研发了高阻抗四探针测试仪,不但价格低廉,而且性能又能满足国内目前的科研需求,填补了我国的空白,具有很好的市场前景。   项目产品达到的主要技术与性能指标:   我们设计的高阻抗四探针探测仪,电阻率测量范围10-4~109Ω?cm,方块电阻测量范围10-3~1010Ω/□,内置恒流源电流量程范围1nA~100mA,内置电压测量单元量程范围10mV~10V,输入阻抗大于1013Ω,测量精度4位半。
  半导体材料和器件研究方面,都需要对半导体的表面方块电阻进行测量。目前主要采用四探针测试仪测量半导体材料的方块电阻,但是,我们了解到,目前国内科研院所使用的四探针测试仪都是老式的用于硅单晶测量的,对于新兴的宽禁带半导体材料的电阻率测量无能为力,而由于国外的相关仪器产品价格昂贵,使得许多从事宽禁带半导体材料和器件研究的课题组没办法测出他们的需要的参数。   经过两年夜以继日的努力,我们设计研发了高阻抗四探针测试仪,不但价格低廉,而且性能又能满足国内目前的科研需求,填补了我国的空白,具有很好的市场前景。   项目产品达到的主要技术与性能指标:   我们设计的高阻抗四探针探测仪,电阻率测量范围10-4~109Ω?cm,方块电阻测量范围10-3~1010Ω/□,内置恒流源电流量程范围1nA~100mA,内置电压测量单元量程范围10mV~10V,输入阻抗大于1013Ω,测量精度4位半。

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