技术简介： 本发明公开了一种非均质功能器件快速成形微制造方法,采用下述方法步骤：根据制造非均质功能器件的要求,将不同的金属、合金材料或者非金属材料作为成形材料分别放入不同的液滴发生装置中,将低熔…… 查看详细 >
技术简介： 随着科学技术的日益更新,在人类迈向更高文明社会的同时,能源危机和环境污染已经涉及到工业、农业、商业、金融、科教文卫、国防和百姓生活的各个领域。此时,发展可再生能源改变人类的能源结构,如…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于碳化硅金属半导体场效应晶体管结构的β射线辐照探测器,主要解决现有β辐照探测器抗辐照性能不佳和能量转换效率低的问题。该探测器自下而上包括n型衬底（8）、p型缓冲层（7…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种ECR等离子体溅射装置用基板保持器,包括原基板（3）,与原基板（3）连接的固定轴（4）,依次轴向设置在固定轴（4）上的支撑板（5）和用于连接真空腔的固定法兰（2）,支撑板（5）和…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法,主要解决欧姆接触的比接触电阻大的问题。其过程是：对SiC衬底进行预处理,并在SiC衬底上外延GaN重掺杂层或SiC：Ge过渡层;在GaN重掺杂层…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种制备薄膜电极的辅助装置,包括底盘,底盘具有用于支撑上下叠加设置的掩膜板和衬底的支撑端面,底盘上还设置有用于对掩膜板施加朝向衬底压紧的压紧力的压紧机构,所述压紧机构包括用…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种多沟道侧栅结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构。主要解决目前多沟道器件栅控能力差、顶栅结构器件载流子迁移率和饱和速度低的问题。其依次包括衬底（1）、第一层AlGaN/GaN…… 查看详细 >
技术简介： 本成果提出了一种新型的透明导电薄膜的制造方法,主要应用领域触控与显示、薄膜太阳能电池、OLED透明电极、柔性电子等领域。可替代现有行业采用的ITO（氧化铟锡）透明导电材料,突破了ITO材料应用…… 查看详细 >
技术简介： 该系统集全球定位(GPS)、通信、网络及计算机技术为一体，能对移动目标(例如车辆、船只等)进行实时定位、导航、跟踪、监控、报警、管理等，并提供信息服务。技术特点(或优势)及应用领域：在监控…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种异质金属堆叠栅SSGOIpMOSFET器件结构,自上而下依次包括：异质金属堆叠栅结构;栅绝缘层;本征或者n-掺杂应变Si沟道层;本征或者n-掺杂组分渐变的应变Si1-xGex层;n掺杂弛豫Si1-yGey…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法,具体地说,是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法,属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤：清洗硅片、在清洗后的硅片上制备…… 查看详细 >
技术简介： 一种半导体光电管（光电二极管或三极管）与有机电致发光显示器件结合的图像变换器件，可将红外图像或弱光信号转变为可见光图像，包括光电管阵列和有机电致发光显示屏及相关的连接与控制电路。本…… 查看详细 >
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