技术简介： 本发明公布了一种硅锗纳米线的方法。其步骤如下：(1)准备一锗基半导体衬底作为基片；(2)在该锗基片上生长40纳米的P型掺杂的硅锗半导体沟道层A；(3)在该锗基片上生长40纳米厚的P型掺杂的锗材料牺…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种具有双空穴注入层的紫外有机发光器件及其制备方法，所述方法包括：采用第一空穴注入层和第二空穴注入层叠接组成双空穴注入层，第一空穴注入层材料采用氧化石墨烯或PEDOT:PSS，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种单向低电容瞬态电压抑制器及其制作工艺，其中该抑制器包括P+半导体衬底，位于P+衬底上的P-外延层，所述的P-外延层上从左到右依次设有第一N阱，第一P+有源注入区，第二N阱，第一P…… 查看详细 >
技术简介： 一、项目简介电纺直写（近场静电纺丝）方法以其固有的原理性优势已经被学术界广泛认可和应用，但响应快速、精密、微量（～1pl级）高粘度流体的连续输运供液是制约其获得产业化应用的技术难点。…… 查看详细 >
技术简介： 在车灯领域led大灯开始替代传统卤素灯和氙气灯，装载led大灯的车型已上市，但是对于车灯的关键零件的透镜，缘于其结构的厚壁设计，其制造技术仍属于制约车型量产瓶颈。激光车灯对比于LED车灯，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种硅和钙钛矿的叠层太阳能电池结构以及其制备工艺方法，主要解决现太阳能电池转化效率低和能源消耗大的问题。该电池结构自下而上包括阴极（1）、N型硅片基体（2）、P型导电材料（…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种超薄金属膜太赫兹吸收层及其制备方法，该吸收层制备在太赫兹探测器敏感单元的顶层。所述超薄金属膜通过刻蚀减薄较大厚度的金属薄膜制备，在刻蚀减薄过程中调节工艺参数与刻蚀剂…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种溶液方法制备的有机小分子空穴注入层。采用有机小分子空穴注入材料及其与其他有机功能材料的混合溶液，通过湿法成膜工艺制备厚度为10～200nm的有机薄膜。本发明还公开具这种溶液…… 查看详细 >
技术简介： 本成果得到崇左市科技局于科技攻关项目的支持，项目名称：酒红盖菇丰产栽培技术及生态服务功能研究。一种羊肚菌培养料温湿度检测装置，安装座其特征是：所述安装座的底端连接有锥形筒；所述锥形…… 查看详细 >
技术简介： 一种气体放电管的自动化老炼装置，包括控制台机架以及设置在控制台机架上的台板和龙门框架，在台板上安装有轨道，轨道上安装有与电机相连的同步轮，试验板固定安装在同步轮上，试验板上放置气体…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种槽栅型栅-漏复合场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底（1）、过渡层（2）、势垒层（3）、源极（4）、漏极（5）、槽栅（7）、钝化层（8）、栅场板（9）、漏场板（11…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种阶梯电流阻挡层垂直型功率器件，主要解决现有同类器击穿电压低与导通电阻大的问题。其包括：衬底（1）、漂移层（2）、孔径层（3）、左右两个对称的多级阶梯结构电流阻挡层（4）…… 查看详细 >
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