技术简介： 本发明公开了一种长寿命SiC发热元件的制备方法,包括下述步骤：将下述组分按质量百分比配料：SiC,75～90％;Al2O3,1～5％;ZrO?,,1～5％;SiO?,,1～3％;Si,4～10％;C,1～5％;采用挤压成型工艺制成空…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种半导体器件,该器件包括半导体衬底,所述半导体衬底上是半导体漂移区,所述半导体漂移区包括第一导电类型的半导体区和第二导电类型的半导体区,所述第一导电类型的半导体区和所述第二…… 查看详细 >
技术简介： 1、课题来源与背景由于舞台机械设备的更新换代,公司展开对该类设备领域的探索及新产品的研发,该产品按照用户签订的技术协议合同要求执行,进行了研发设计及制造工作,设计、制造都是以按照用户技…… 查看详细 >
基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的SiN埋绝缘上层晶圆级单轴应变Si的制作方法,其实现步骤为：清洗SOI晶圆,并注入He离子;在离子注入后的SOI晶圆顶层上淀积1GPa以上的压应力SiN薄膜…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法,它涉及到微电子技术领域,主要解决器件工作频率低和抗辐照性能差的问题。该器件按生长顺序依次包括GaN缓冲层、本征GaN层、Al0.3Ga0.7N…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种采用钙钛矿作为光吸收层的N型HEMT器件及其制备方法。该方法包括：选取衬底材料;采用第一掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极;在所述衬底材料及所述源漏电极表面生长电子传输层;…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种用于制备钙钛矿太阳能电池的弱腐蚀碳浆,按照重量百分比计,弱腐蚀碳浆由2～20％的粘结剂、30～75％的有机溶剂、0～5％的辅助溶剂和20～40％的碳材料导电填料组成,粘结剂溶解在有…… 查看详细 >
一种CuNiMnFe/30CrMnSi复合材料转子衬套的制备方法
技术简介： 本发明公开的一种CuNiMnFe/30CrMnSi复合材料转子衬套的制备方法,将30CrMnSi转子衬套空壳放入石墨型芯中定位;将石墨型芯及30CrMnSi转子衬套空壳放入石墨坩埚内,并将CuNiMnFe合金放在30CrMnSi转子…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的CMOS器件及其制备方法,该方法包括：选取Si衬底;在Si衬底表面生长栅介质层;在栅介质层表面刻蚀隔离沟槽;在隔离沟槽两侧分别生长电子传输层和空穴传输层;在电…… 查看详细 >
技术简介： 该项目属无机非金属材料领域。燃料电池是将氢能转换为电能的先进能源转换装置,是《2006-2020年国家中长期科学和技术发展规划纲要》明确优先发展的先进能源前沿技术,在电动汽车、新能源等支柱产…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于悬浮超结的氮化镓基异质结电流孔径器件,主要解决现有技术无法实现良好的双向阻断的问题。其自下而上包括：肖特基漏极（13）、衬底（1）、漂移层（4）、孔径层（5）、左右两…… 查看详细 >
技术简介： 一种槽型纵向半导体器件的制造方法，属于半导体器件制造技术领域。本发明通过刻蚀深槽、高温扩散、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等关键工艺步骤，实现了一种一种槽型纵向半导体…… 查看详细 >
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