技术简介： 该产品是在１５０～４５０Ｖ电压范围内，当供电异常，特别是当３８０Ｖ串入２２０Ｖ及瞬时停电时，对家用电器进行保护的一种切断式延时保护器。其特点是：保护电压范围宽，输出功率大，过载能力…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种垂直结构深紫外LED芯片的制造方法。具体为：将p-GaN欧姆接触层利用激光直写工艺加工成网格状结构,并使用了一种高反射率的p型低阻欧姆接触Ni/Al电极与p-GaN网格进行欧姆接触,形…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于印制电路板制造领域,涉及到印制电路板通孔金属化加工方法及设备,尤其是通孔镀铜装置。本发明提供的一种带通孔印制电路板的镀铜装置,包括电源、外槽、内槽、内槽支架、上阳极支架、下…… 查看详细 >
技术简介： 一种SOI横向功率MOSFET器件,属于功率半导体器件技术领域。本发明在漂移区引入介质槽,槽内填充两种或两种以上的介质材料,且介质材料的介电系数低于有源层的介电常数,同时介电系数自下而上逐渐递…… 查看详细 >
技术简介： 该项技术为解决有直配出线之旋转电机的大气过电压保护问题。运行中电机防雷保护所需避雷器保护比应在１．２４以下，而目前国内外生产的避雷器均不能满足此要求。该项技术的要点是将氧化锌电阻与…… 查看详细 >
基于非晶化与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法。其实现步骤是：在清洗后的AlN埋绝缘层上Si晶圆顶层Si层上淀积SiO2层;对顶层Si层进行离子注入形成非晶化层,并…… 查看详细 >
技术简介： 具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件,属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上,二者采用共用阳极结构;…… 查看详细 >
基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法,其实现步骤为：对绝缘层上硅锗SGOI晶圆进行清洗,并进行He离子注入;在离子注入后的SGOI晶圆顶层SiGe…… 查看详细 >
技术简介： 本发明为一种适用于微量液体混合化学发光反应的器件,包括上下配合的上盖板和下底板;上盖板外侧两端部设有凹室,上盖板内侧面中部设有微量液体流经的微流道结构,微流道结构分为进样、混合和废液流…… 查看详细 >
技术简介： 随着能源危机和环境污染问题的日益严重，作为绿色能源的风能受到世界各国的高度重视。据全球风能理事会统计，全世界风电装机容量的年均增长超过30%,中国的装机容量占据了世界总量的34.7%。然而…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于场效应晶体管技术领域,特别是公开了一种具有部分高掺杂沟道4H-SiC金半场效应管;旨在提供能够提高输出电流和器件跨导,改善频率特性的一种具有部分高掺杂沟道4H-SiC金半场效应管;采用的…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高吸收结构的太赫兹室温探测器及制备方法,用于太赫兹波段的探测。所述探测器的顶层是亚波长结构的金属图形,作为一个电子谐振器,用于吸收特定频率的太赫兹波;第二层是复合薄膜微…… 查看详细 >
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