技术简介： 1.该项目属于半导体发光技术和集成光电子器件设计、制造与工艺技术领域。2.技术创新内容：智能汽车已成为全球汽车产业发展的战略方向和新动力，也是中国经济发展的支柱产业。做为智能汽车中必不…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种薄膜外延生长在线实时表征装置,利用拉曼光谱信号对MOCVD设备中薄膜外延生长过程中的纳米材料微观结构进行实时、直接表征。激发光被第一分光镜反射后,由平凸透镜聚焦,通过MOCVD…… 查看详细 >
技术简介： SJDK-Ⅰ型电子开关由加速度探头、前置放大器、变送器和报警部分组成。是在线检测大型旋转设备的振动加速度、速度和位移物理量的一种新型系统仪表，对设备进行予测性维护、安全保护。该仪表在辽…… 查看详细 >
技术简介： 1、钙钛矿晶体研究①大尺寸钙钛矿单晶的制备、切割及性能研究在研究钙钛矿前驱体在溶液体系溶解特性的基础上,提出并使用升温析体法制备钙钛矿晶体,该方法具有生长速度快的优势,可在短时间内获得…… 查看详细 >
技术简介： 技术成果名称：蓝色电致磷光材料及OLED器件技术成果简介：目前基于铱金属配合物磷光材料的红色、绿色OLED器件的色纯度和发光效率已经接近理论极限,满足了商业化生产的需求。相比之下,蓝色电致磷…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高吸收结构的太赫兹室温探测器及制备方法,用于太赫兹波段的探测。所述探测器的顶层是亚波长结构的金属图形,作为一个电子谐振器,用于吸收特定频率的太赫兹波;第二层是复合薄膜微…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种碳化硅发热元件冷端部陶瓷材料的制造方法,特征是包括11个工艺步骤;碳化硅粉料、石油焦粉、石墨粉、活性炭粉、硅粉的将质量分数分别为0.30～0.90、0.05～0.50、0～0.20、0～0.10、…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种基于Ga2O3材料的复合型双栅高速PMOS器件及其制备方法。该方法包括：选取N型半绝缘衬底,采用分子束外延生长N型β-Ga2O3层;采用干法刻蚀形成台面,在台面两侧位置处采用离子注入工艺…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种Cu-C电刷材料及其制造工艺。该材料主要由铜（Cu）、亚微米/纳米尺度的石墨粒子（C）和微量添加元素（Cr）三种组分构成;经配料、高能球磨、冷压、抽真空、快速区域熔炼工艺制成…… 查看详细 >
技术简介： 1.课题来源与背景本项研究任务来源于在兰州市科技局的大力支持。项目编号为（2015-RC-44）。中国是一个果蔬生产大国,近几年我国果蔬作物的产量持续增长,由2003年的3.7亿吨增长至2013年的7.1亿吨…… 查看详细 >
技术简介： 本发明具体涉及一种以导电态聚苯胺为P型半导体材料、纳米晶体TiO2为N型半导体材料的P-N异质结二极管及该异质结二极管的制备方法。该P-N异质结二极管的组装制备方法是：首先采用溶胶－凝胶技术在…… 查看详细 >
技术简介： 有机电致发光二极管(OLED)显示技术被认为是最具发展前景的下一代平板显示技术之一。目前，人们研究的热点集中在降低成本、提高器件的性能和稳定性方面。良好的封装是得到稳定的OLED器件最基本的…… 查看详细 >
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