技术简介： 本发明公开了一种基于纳米线结构的高效发光二极管及制备方法,主要解决传统LED中空穴注入效率不高而引起的发光效率低的问题。其包括：c面蓝宝石衬底层（1）、高温AlN成核层（2）、n型GaN层（3）…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种在基片上制备碳纳米管-多层石墨复合结构的方法,其特征在于,包括如下步骤：步骤1：通过溶胶凝胶法配置含铁的前驱溶液,通过旋涂的方法将前驱溶液均匀的涂布在基片上制得含铁的前驱…… 查看详细 >
技术简介： 一种SOI横向功率MOSFET器件,属于功率半导体器件技术领域。本发明在漂移区引入介质槽,槽内填充两种或两种以上的介质材料,且介质材料的介电系数低于有源层的介电常数,同时介电系数自下而上逐渐递…… 查看详细 >
技术简介： 该项技术为解决有直配出线之旋转电机的大气过电压保护问题。运行中电机防雷保护所需避雷器保护比应在１．２４以下，而目前国内外生产的避雷器均不能满足此要求。该项技术的要点是将氧化锌电阻与…… 查看详细 >
基于非晶化与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法。其实现步骤是：在清洗后的AlN埋绝缘层上Si晶圆顶层Si层上淀积SiO2层;对顶层Si层进行离子注入形成非晶化层,并…… 查看详细 >
技术简介： 电流变隔振器的正电极系统，包括：电流变隔振器下盖板、环形正电极片、正电极基座、金属圆片、上层环氧树脂、引出导线焊接孔、铜箔和下层环氧树脂。六片环形正电极片同心等间距焊接于正电极基座…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种AlGaN基蓝宝石衬底的紫外LED器件及制作方法,它涉及到微电子技术领域,主要解决出射光效率低的问题。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN外延层、n-A…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高击穿电压肖特基二极管及制作方法,其自下而上包括衬底（5）、Ga2O3外延层（3）、低掺杂n型Ga2O3薄膜（4）和钝化层（8）,钝化层（8）的中设置环状金属阴极（1）和圆形金属阳极…… 查看详细 >
技术简介： 技术简介：QZD2000型电子式电/气转换器用于实现电动单元组合仪表与气动单元组合仪表之间的信号转换，能将4-20mA(DC)的电流信号线性转换成20-100KPa压力信号。1997年11月28日通过产品鉴定，结论…… 查看详细 >
技术简介： 一种BCD器件及其制造方法,属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一芯片上同时集成高压nLIGBT、三类高压nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN等半导体器件。其中,高压nLIGBT、nLDMOS和低压NPN…… 查看详细 >
技术简介： 采用薄膜技术和微机电系统(MEMS)技术，对双面氧化的硅片进行处理，得到双面套刻对准符号；采用薄膜技术和MEMS技术制备纳米晶成分的曲折状三明治结构软磁多层膜材料；采用物理刻蚀技术去除底层；…… 查看详细 >
技术简介： 本发明成果在于提供一种V型定位方式的线切割机,已解决现有线切割机通过垫块及压板实现加紧而带来的操作繁碎、消耗时间较多、影响效率的问题。包括机架、工作台和夹具,夹具包括V型块和U型夹,U型…… 查看详细 >
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