技术简介： 本发明公开了一种基于NandFlash存储器阵列的存储控制装置，包括：NandFlash存储器阵列、存储控制器、用户应用逻辑层、用户逻辑、基础设施和状态采集单元;NandFlash存储器阵列获取操作指令;物理…… 查看详细 >
技术简介： 基于纳米碳/硅异质结材料的微型气体探测器对多种的危险、有害气体，例如，甲醛、氨气和氧化氮等有很高的敏感性。具有灵敏度高、响应时间短、成本低廉、便携实用、室温下工作等优点。并且该纳米…… 查看详细 >
技术简介： 项目简介：目前，空气弹簧悬架在国外豪华汽车上已经被广泛采用，在高速客车和豪华城市客车上的使用率已达到100％，在中、重型货车以及挂车上也超过80%。在我国，已逐渐与国际接轨，有关空气悬架…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有增强型器件的阈值电压小、短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底（1）、GaN缓冲层（2）、GaN沟道层（3）、AlGaN势垒层…… 查看详细 >
技术简介： 钙钛矿太阳能电池由于具有吸收系数大、吸收范围宽，转换效率高等优点在太阳能电池领域受到人们关注。研究表明，电子传输层与钙钛矿活性层的界面性质是阻碍钙钛矿太阳能电池效率提高的一个重要因…… 查看详细 >
基于蓝宝石衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件的制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的AlGaN基uv-LED器件及其制作方法，它涉及到微电子技术领域。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层（2）、高温AlN成核层（3）、本征AlGaN外延层（4）、n-AlGaN势…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面SiC衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ…… 查看详细 >
技术简介： 成果简介：SrTiO_3系环形消噪压敏电阻器（SRV）属新型高新技术产品。目前能规模生产该产品仅有少数企业，均采用气氛炉烧结，气氛为H_2和N_2。气氛炉和配套设备投资大，可燃气体存在不安全因素。…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种碲锌镉像素探测器电极的钝化方法，用于对碲锌镉像素探测器电极进行钝化，降低漏电流。所述方法首先采用CdZnTe晶体，进行线切割，研磨、机械抛光、清洗后在2％Br-MeOH中化学抛光…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种剪线装置，包括安装底板，安装在安装底板上的余线捋顺和剪断机构及磁环吸取和脱离机构;余线捋顺和剪断机构设置的磁环通道固定块固定在底板的下方;剪线刀固定在剪线气缸上;…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种无电极型平面介质阻挡放电荧光灯及其制作方法。该荧光灯在两片玻璃基板内侧面均配置了荧光粉层，后玻璃基板上配置了障壁和边框作为支撑体。将前后两基板对位、封接成一个整体，…… 查看详细 >
技术简介： 煤矿瓦斯事故是煤矿安全的最大威胁之一，事故破坏性强，灾后可救援性差，严重制约着我国煤矿安全生产和煤炭经济的健康发展。预防瓦斯事故，关键在于准确、及时的瓦斯浓度监测与检测。因而先进、…… 查看详细 >
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