技术简介： 本发明属于半导体技术,具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为：在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层;在第一导电类型半导体有源…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种有机无机杂化卤化物钙钛矿半导体晶体的抛光方法,用于解决现有半导体晶体抛光方法实用性差的技术问题。技术方案是将橡胶垫平铺于两个抛光盘上;将从溶液法长出的MAPbBr3晶体放在…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种槽型半导体功率器件的制造方法,涉及半导体功率器件技术领域,通过刻蚀槽、采用各向异性外延技术生长填充槽形成第二半导体区、在第二半导体区顶部局部刻蚀形成窄且高浓度的n或p柱…… 查看详细 >
技术简介： 一种超结LDMOS器件,属于半导体功率器件领域。本发明在传统超结LDMOS器件的P型衬底中嵌入均匀分布的N+岛,并在有源区和衬底之间加入一层P型电场屏蔽埋层。其中N+岛（2）能通过增强体内电场来提高…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种浮空栅-漏复合场板垂直型电力电子器件,其自下而上包括：肖特基漏极（13）、衬底（1）、漂移层（2）、孔径层（3）、两个对称的电流阻挡层（4）、沟道层（6）、势垒层（7）、帽层…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种弧形栅场板电流孔径功率器件,主要解决现有垂直功率器件中场板结构无法有效调制器件中电场分布的问题。其包括：衬底（1）、漂移层（2）、孔径层（3）、二级台阶形的电流阻挡层（…… 查看详细 >
技术简介： BCD半导体器件及其制造方法属于半导体功率器件技术领域。器件包括高压nLIGBT、第一类高压nLDMOS,第二类高压nLDMOS,第三类高压nLDMOS和低压NMOS、PMOS、NPN。半导体器件直接做在单晶衬底上。高压…… 查看详细 >
技术简介： 压敏电阻作为电器保护器件应用广泛：移动电话、汽车电气、芯片保护、抗雷击、尖脉冲抑制、家电保护等。由于集成工艺不断发展，集成电路芯片尺寸越来越小，工作电压也越来越低，因此极需阈值电压…… 查看详细 >
技术简介： 一种可控自钳位SensorFET复合横向功率器件,属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上,二者采用共用阳极结构,其中所述Se…… 查看详细 >
技术简介： 一种非外延高压BCD器件的制备方法，属于半导体技术领域中的半导体制造技术。本发明提供一种在同一硅片上集成高压DMOS、高压采样器件SensorFET、低压BJT、低压CMOS、低压DMOS、MOS电容和阱电容、…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高吸收结构的太赫兹室温探测器及制备方法，用于太赫兹波段的探测。所述探测器的顶层是亚波长结构的金属图形，作为一个电子谐振器，用于吸收特定频率的太赫兹波；第二层是复合薄…… 查看详细 >
技术简介： 该项目主要是研制开发了一种新颖、先进的环保设备,它可以用来处理水和空气中难以降解的有机污染物、菌类和藻类。纳米催化剂材料在光激发下具有很强的氧化能力,能够将污染物氧化直至完全矿化,没…… 查看详细 >
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