技术简介： ZJ8008D型防盗防火报警系统，是采用现代先进的红外被动遥感技术和数字电路技术相结合的报警装置。是当今防盗防火领域中最新产品，具有防盗防火的双重功能。该系统由遥感发射头和多路接收报警机…… 查看详细 >
技术简介： 铝电解工业是中国国民经济支柱产业之一。电解铝年产能已突破2000万吨大关，稳坐世界第一。铝电解技术也已有了长足的进步，但是仍存在一些技术难题。铝电解碳素阳极的额外消耗，特别是氧化消耗就…… 查看详细 >
技术简介： 项目名称：电机绕组匝间短路与典型机械故障监测与诊断技术电机绕组匝间短路包括转子绕组匝间短路和定子绕组匝间短路；典型机械故障包括气隙偏心、质量不平衡、轴系不对中等。这些故障诱发频率高…… 查看详细 >
基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法,其实现步骤为：1.对绝缘层上硅SOI晶圆进行清洗,并进行He离子注入;2.在离子注入后的SOI晶圆顶层Si层上淀积1GPa以上…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种有机电致发光器件的封装工艺,其基板采用带铬的ITO或FTO薄膜玻璃。通过设计刻蚀区域,将显示器的区域上的铬刻蚀掉,其余部分的铬保留,器件封装时在铬上涂覆封装胶,进行盖板封装。这…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法,该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘栅极、钝化层、源场板、漏场板和保护层,所述的源场板与源极…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于超级结的碳化硅MOSFET器件制作方法,包括如下步骤：（1）在N+碳化硅衬底的正面上外延生长厚度为10μm、氮离子掺杂浓度为5×1015~1×1016cm3的N外延层,其外延生长温度为1600℃,压力100mbar,…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种JFET器件及其制造方法。本发明的JFET器件,其特征在于,所述P+栅极区1的结深为不均匀的,从靠近N+漏极区2的一端到靠近N+源极区3的一端P+栅极区1的结深逐渐…… 查看详细 >
技术简介： 在半导体异质结制备过程中,很难避免缺陷态的生成。为了提高异质结的性能,通常采用各种方法降低缺陷态的影响。但是在光致/电致发光谱中,缺陷态却具有重要的意义。如果可以通过调控制备条件,有效…… 查看详细 >
技术简介： 该项目属机电一体化技术领域。目前，国内金属标签打字设备十分奇缺，绝大多数企业的标签是靠手工打字或是简单的机械装置，字迹模糊不清，排列不齐，自动化水平与生产效率低，工人劳动强度大。该…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种直接带隙Ge沟道CMOS集成器件及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底;生长第一Ge层;生长第二Ge层;形成浅沟槽隔离;注入B离子形成NMOS有源区;生长栅介质层和栅极层,刻蚀形成PMOS…… 查看详细 >
基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法,其实现步骤为：1.对GeOI晶圆进行清洗,并进行He离子注入;2.在离子注入后的GeOI晶圆顶层Ge层上淀积1GPa…… 查看详细 >
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