技术简介： 本发明提供一种用于杂化太阳电池的类钙钛矿敏化光阳极的制备方法，所述制备方法如下：首先在透明导电基板上制备由宽禁带半导体氧化物纳米材料构成的亚微米厚薄膜，然后用离子交换法在薄膜中沉积…… 查看详细 >
技术简介： 异质结是半导体器件的重要组成部分,科学家对此进行了大量的研究,硅基CdS异质结是其中重要的一个研究方向。随着社会经济的发展,为实现不同的功能和需求,对半导体器件的尺寸提出了更高的要求。科…… 查看详细 >
技术简介： 项目简介：红、绿、蓝是构成多彩自然的三基色，同为平面全色显示器的基本要素，近年来，高亮度、低能耗、长寿命、结构紧凑、全固体化的半导体显示器风靡全世界，几乎点据了主要的大屏幕显示市场…… 查看详细 >
技术简介： 本发明一种具有石墨烯阻挡层的钙钛矿电池及制备方法,所述方法包括如下步骤,步骤1,在清洗后的衬底上依次制备电子传输层、钙钛矿吸收层和空穴传输层,得到钙钛矿电池基体;步骤2,在CVD法制备的石墨…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型提供了一种鞋槽自动画线装置，包括固定旋转装置和画线装置，所述固定旋转装置和画线装置均电连接于控制系统。其中，所述固定旋转装置包括多向固定台，所述画线装置包括机器人装置、点…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型提供了一种手性结构、缓冲吸能结构、防撞吸能结构和汽车防撞梁。所述手性结构包括：三个手性单元，所述手性单元包括节圆和八个韧带，所述节圆包括均匀间隔布置的四个象限点，每两个韧…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种湿式电除尘器喷嘴在线清堵装置，包括X轴导轨模组、Y轴导轨模组、支架、检堵机构和清堵机构。所述支架固接在Y轴导轨模组的Y轴滑座之上；所述检堵机构包括检堵板和触发机构，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法。本发明的二极管包括：GaN外延层,n^+GaN集电极欧姆接触层,第一GaN隔离层,第一InAlN势垒层,GaN主量子阱层,第二InAlN势垒层,InGaN…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种印制电路内层可靠孔和线的加工方法。该加工方法先将内层双面覆铜板的面铜减薄且钻出所需导通孔,然后进行化学镀铜及快速电镀铜;接着运用图形转移技术将所需线路及导通孔露出,并…… 查看详细 >
技术简介： 铋层状结构化合物是一类重要的铁电、压电材料,由于特殊的结构,使得其具有高的居里温度、大的自发极化、低的介电损耗、高的温度稳定性以及好的抗疲劳特性等优点,因此该体系材料非常适合于制作铁…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开的光电成像系统高宽容度液晶选通电荷耦合器件及制备方法,电荷耦合器件包括从上往下依次设置的二向色滤光片、红外吸收滤镜、控制线和微型信号线及通过隔膜隔断的多个液晶单元构成的液…… 查看详细 >
全色堆栈式倒装RGB Micro-LED芯片阵列及其制备方法
技术简介： 本发明提供一种全色堆栈式倒装RGBMicro-LED芯片阵列及其制备方法,包括衬底和在衬底上外延生长的蓝、绿光LED外延层,以及在蓝、绿光LED外延层上继续生长的红光LED外延层;然后通过刻蚀和沉积技术在…… 查看详细 >
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