技术简介： 本发明公开了一种异质金属堆叠栅SSGOIpMOSFET器件结构,自上而下依次包括：异质金属堆叠栅结构;栅绝缘层;本征或者n-掺杂应变Si沟道层;本征或者n-掺杂组分渐变的应变Si1-xGex层;n掺杂弛豫Si1-yGey…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于碳化硅金属半导体场效应晶体管结构的β射线辐照探测器,主要解决现有β辐照探测器抗辐照性能不佳和能量转换效率低的问题。该探测器自下而上包括n型衬底（8）、p型缓冲层（7…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种ECR等离子体溅射装置用基板保持器,包括原基板（3）,与原基板（3）连接的固定轴（4）,依次轴向设置在固定轴（4）上的支撑板（5）和用于连接真空腔的固定法兰（2）,支撑板（5）和…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法,主要解决欧姆接触的比接触电阻大的问题。其过程是：对SiC衬底进行预处理,并在SiC衬底上外延GaN重掺杂层或SiC：Ge过渡层;在GaN重掺杂层…… 查看详细 >
技术简介： ＨＧ８３００系统由３８６便携式计算机、数据采集板、电流传感器、压电加速度传感器、电机诊断软件及振动分析软件组成。用于设备诊断数据采集、电机故障诊断及一般设备故障精密诊断。其技术创新…… 查看详细 >
技术简介： 该项目是上海市科委“七五”、“八五”科技攻关项目，由上海交通大学与上海市公安局交警总队自1987年起合作研制、开发成功的高科技产品，现已投入批量生产、并广泛应用于国内大、中、小各类城市…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种射频功率半导体器件的金属互联结构及制作方法，主要改善现有同类器件金属互联中存在成本高的问题。其制作过程为：在已做好源、栅、漏电极的待加工器件上生长介质；在介质层上光…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种硅和钙钛矿的叠层太阳能电池结构以及其制备工艺方法，主要解决现太阳能电池转化效率低和能源消耗大的问题。该电池结构自下而上包括阴极（1）、N型硅片基体（2）、P型导电材料（…… 查看详细 >
技术简介： 在户外野营时很多时候都要用到饮用水,但户外很多水的水质到底如何是不清楚的,需要进行一定的净化程序才能放心饮用,但目前还很少有专门用于户外的水净化装置。本发明所要解决的技术问题是,提供一…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于硒化铟和氮化镓的双波段探测器及制备方法,主要解决现有技术无法实现同时同位置探测的问题。其包括:衬底（1）、紫外吸收层（21）、绝缘层（3）、红外吸收层（22）、两个欧姆…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开的光电成像系统高宽容度液晶选通电荷耦合器件及制备方法,电荷耦合器件包括从上往下依次设置的二向色滤光片、红外吸收滤镜、控制线和微型信号线及通过隔膜隔断的多个液晶单元构成的液…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及薄膜与涂层制备技术领域,具体为一种紧凑高效的准扩散弧冷阴极弧源。准扩散弧冷阴极弧源由弧源头与控制磁场组组成,弧源头包括靶材、靶材底座、靶材底座屏蔽罩、靶材底盘、引弧装置和永…… 查看详细 >
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