技术简介： 本发明公开了一种紫外有机发光器件及其制备方法。所述紫外有机发光器件包括电子注入层是厚度为1.5-6nm的LiF。所述制备方法包括：将衬底和阳极装入多源有机蒸镀室中，在真空度优于5×10-4Pa的条件…… 查看详细 >
一种基于梯度结构空穴注入传输的紫外有机电致发光器件及其制备方法
技术简介： 本发明公开了一种具有梯度结构空穴注入传输体系的紫外有机电致发光器件，包括衬底层、阳极层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极层，其特征是，还包括梯度结构空穴注入传输体系层，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种双层发光层结构的白光OLED器件，所述器件包括一层空穴传输兼蓝光发光层和一层电子传输兼黄绿光发光层，另外还包括衬底、阳极、空穴注入层、电子注入层和反射金属阴极。本发明与…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种聚酰亚胺阻变存储器的制备方法，所述存储器由基底、底电极、聚酰亚胺功能层和顶电极构成。所述制备方法是将合成聚酰亚胺所用的二元胺和二酐单体按1：1-1.03的比例，在酰胺类溶…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器。所述有机薄膜是由甲基丙烯酸甲酯和聚醚酰亚胺组成的共混物制成。所述肖特基特性自整流阻变存储器，包括底电极、沉积于底电极…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提出了一种柔性硅基纳米薄膜热电器件，包括柔性玻璃基底，在所述柔性玻璃基底上设置有硅基纳米薄膜热电臂、石墨烯电极、石墨烯涂层，所述硅基纳米薄膜热电臂采用物理气相沉积技术沉积在所…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高显色性白光LED器件，包括封装体、以及设置在散热基板上的红光、蓝光、绿光LED芯片，所述的LED芯片设置在封装体中，其特征在于：所述封装体的内壁表面为设有荧光粉层的锥形反…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于3D打印技术的白光LED荧光薄膜的制备方法，包括如下步骤：（1）配制荧光粉浆料；（2）导入3D打印机，由计算机控制在LED芯片或其它透明基片上进行荧光薄膜的打印；（3）打印的过程中，选…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种多芯片并串联UVLED阵列式支架，其特征在于，该支架呈叠层式结构，包括顺序叠接的散热层、第一绝缘层、线路层、第二绝缘层和单面镜面发射层，单面镜面发射层上设有均匀分布的反…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层，所述有源层内还设有叉指介质槽；该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件的制备方法，由GaAs衬底层、AlGaAs缓冲层、InGaAs导电沟道层、InGaP势垒层、GaAs帽层、InGaAs帽层自下而上依次设置形成金属氧化物半导…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开一种线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm-2的高浓度固定电荷区。这些高浓度固定电荷…… 查看详细 >
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