一种钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳电池及其制备方法
技术简介: 摘要:本发明的钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳能电池涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。本发明由底部电极、N型氧化物半导体膜、钙钛矿单晶光吸收层、微晶硅空穴传输…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明一种垂直紫外LED芯片的制备方法,涉及适用于制造至少有一个电位跃变势垒的专门适用于光发射的半导体器件的方法,采用金属电流扩展层Ni/Ag加上DBR代替垂直紫外LED芯片的金属反射层,…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明属于一种核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体,所述核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体是以纳米四角体硒化镉为核,硫化铅包覆生长于纳米四角体硒化镉表面;硒化镉与硫化铅的质量比为1﹕3~…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种氧化物半导体薄膜的制备方法,其制备方法包括如下步骤(1)将半导体胶体量子点溶液放置在静电纺丝平台中,在喷嘴与基板间加电场,使溶液分散雾化,雾化液在绝缘衬底上均匀…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种直写电子/光电子元器件的微细笔及由其构成的装置。微细笔的结构为:减压装置位于笔帽内,并与位于笔帽顶部的施压气管相连,笔帽的下端与笔筒的上端活动、密封连接构成储…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开一种补偿粒子速度影像仪球面像差的方法,所述方法为在粒子速度影像仪提取极电极板添加跳变电压,以在聚焦电场的基础上添加发散电场,从而补偿原有静电聚焦透镜球面像差。本发明…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种基于超材料的远红外单谱信号探测器,包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极。超材料层为具有周期性微纳米结构的金属…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种可寻址层析视场的液晶基成像探测芯片。包括面阵电控液晶成像微透镜和面阵光敏探测器,其中,单元电控液晶成像微透镜用于对目标通过物镜形成的压缩光场执行进一步的汇聚式…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种SOI衬底上电子束套刻工艺所需的凹陷型对准标记制作方法,具体为:清洗SOI衬底;在SOI衬底上涂敷光学抗蚀剂,采用光刻工艺将对准标记的版图转移到光学抗蚀剂上;在SOI衬底…… 查看详细 >
技术简介: 摘要:本发明公开了一种用于低温焊接的免清洗纳米浆料的制备方法,包括以下步骤:1)将有机增稠剂加入N-甲基-2-吡咯烷酮中,经磁力搅拌形成溶液A;2)将有机粘结剂加入所述溶液A中,经磁力搅拌形…… 查看详细 >
技术简介: 一种功率器件的散热结构,所述功率器件散热结构包括漏极金属层与金属覆盖层,所述漏极金属层沉积在功率裸晶圆片背面上,金属覆盖层设有纵向与横向贯穿的微型沟道,微型沟道设置有冷却液的进口和…… 查看详细 >
技术简介: 本发明公开了一种利用计算机二级数据处理系统检测钢板板型的方法,准确处理钢板板型检测数据。该方法的步骤包括:在计算机显示器上建立输入数据界面,界面有两个,一个为主界面,一个为数据处理…… 查看详细 >
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