技术简介： 摘要：本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜，包括依次生长在ScMgAlO4衬底上的GaN缓冲层，GaN形核层，GaN非晶层以及GaN薄膜。所述ScMgAlO4衬底以(0001)面偏(11‑20)面0.5～1°为外延面。本…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种基于多孔钴酸锶镧基底担载银纳米颗粒的超级电容器，包括引线、电荷收集器、正极材料、隔膜和负极材料；正极材料和负极材料中至少有一个为多孔钴酸锶镧基底担载银纳米颗粒…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种光导型有机半导体探测器，由下至上依次石英片衬底，金属纳米粒子，有机绝缘层，有机光敏层和金属电极迭置而成；所述金属纳米粒子与有机光敏层产生局域等离子体共振。本发…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种聚合物本体异质结太阳电池及其制备方法，所述聚合物本体异质结太阳电池由玻璃衬底、阳极、阳极缓冲层、光活性层、阴极界面层和阴极依次层叠构成，所述阴极界面层采用含有…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明属于膜材料制备技术领域，公开了一种有机材料的溶液成膜方法及设备。所述方法为：将有机材料溶于含有高沸点溶剂和低沸点溶剂的混合溶剂中，然后通过成膜技术将其淀积在基板上，得到…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种用于LED正装结构的图形化衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的穹顶型图案组成；所述穹顶型图案为轴对称的椎体，椎体的底面为半径为0.8～1.2μm的圆形，椎体…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了生长在玻璃衬底上的LED外延片，包括生长在玻璃衬底上的铝金属层，生长在铝金属层上的银金属层，生长在银金属层上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明属于OLED领域，公开了一种纤维复合柔性OLED照明基板材料及其制备方法和应用。该基板材料的制备方法包括以下步骤(1)将PDMS浇注在平滑玻璃上，固化，得基板复合的PDMS模板；(2)将含有…… 查看详细 >
基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑
技术简介： 摘要：本发明提供基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑。半桥/全桥混联MMC自均压拓扑中，半桥/全桥混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的辅助开关发生电气联系，辅…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型属于聚光光伏系统领域，具体涉及到一种基于太阳能电池并联连接的聚光光伏模组。包括菲涅尔透镜和多个三结聚光太阳能电池，多个三结聚光太阳能电池并联连接，每个三结聚光太阳能…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种有机材料阻变存储元件及其制备方法。该存储元件的结构包括由下至上依次排布的下电极层、阻变介质层和上电极层；下电极层为ITO层，阻变介质层为CH3NH3PbI3−xCl3层，上电…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法。所述双电荷注入俘获存储器的结构由下至上依次是Pt衬底、Zr0.5Hf0.5O2膜层、Ba0.6Sr0.4TiO3膜层和电极膜层；在所述Zr0.5Hf0.5O2膜层和…… 查看详细 >
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