CIS及CIGS薄膜太阳能电池吸光层的制备及新溶剂在其中的应用
技术简介： 本发明属于半导体材料技术领域，提供CIS及CIGS薄膜太阳能电池吸光层的制备方法。所述方法经过步骤一制备前驱体溶液；将铜的无机盐和硫脲以一定的比例溶解在酰胺及其衍生物中的一种溶剂中，生成…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种双材料栅线性掺杂的石墨烯场效应管。基于量子力学非平衡格林函数理论框架，通过自洽求解泊松（Poisson）和薛定谔（Schr?dinger）方程，构建了适用于石墨烯场效应管的输运模型，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器，在玻璃基底的上表面镀有ITO膜层，ITO膜层上设有活性层，活性层上设有金属电极，活性层为二硫化钼与另一种半导体材料组成的纳米复合材料，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种通信、照明复用LED灯该LED灯包含有两种功能，一是白光照明，二是用作红外光通信的发射端。其中，照明是以一种或多种稀土离子（Dy3+、Sm3+、Tb3+、Eu3+、Eu2+、Ce2+、Tm3+、Ho3+…… 查看详细 >
技术简介： 发明提供一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光…… 查看详细 >
技术简介： 申请公开了一种具有生物突触模拟功能的有机二极管柔性忆阻器器件及其制备方法，该器件在阴极‑介质层界面间增加一层修饰层，整个器件从上到下依次是金属阴极层、修饰层、介质层、阳极电极层和PE…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种卟啉忆阻器，该卟啉忆阻器为阳极、阻变层、阴极的三层结构，阻变层位于阳极和阴极的中间，其包含卟啉作为活性薄膜层，该活性薄膜层提供传输电子和离子的双重功能，阻变层还包括…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种无掺杂钙钛矿太阳电池的制备方法，属于太阳电池技术领域，该方法在导电衬底S上依次制备电子传输层E、钙钛矿有源层材料P、空穴传输层材料H、透明导电薄膜T以及金属电极M。…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明的n型氧化锌纳米棒/p型金刚石异质结光电器件及制备方法，属于半导体材料及其制备的技术领域。光电器件是n型氧化锌纳米棒高取向竖直生长在p型金刚石上；用银浆在导电阴极和导电阳极…… 查看详细 >
具有贵金属掺杂的TiO2/TiO2同质结构紫外探测器及其制备方法
技术简介： 摘要：具有贵金属掺杂的TiO2/TiO2同质结构紫外探测器及制备方法，属于半导体光电器件技术领域。探测器依次由石英衬底、贵金属掺杂的TiO2薄膜层、纯TiO2薄膜层、金属叉指电极组成。其特征在于：…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种基于双电子和双空穴传输层的有机太阳能电池及其制备方法，属于有机太阳能电池技术领域。从下至上，依次为ITO导电玻璃衬底、PFN/聚芴材料PFBT双电子传输层、PCDTBT：PCBM活性层、MoO3/…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种基于二氧化硅包覆钙钛矿量子点的稳定白光LED及制备方法。基于二氧化硅包覆钙钛矿量子点的稳定白光LED，将钙钛矿量子点嵌入二氧化硅基质中，并结合蓝光LED芯片发出白光，采…… 查看详细 >
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