技术简介： 摘要：本发明涉及一种双环硅通孔结构及其制造方法。一种双环硅通孔结构，从外向内依次为半导体衬体、第一介质层、第一金属环、第二介质层、第二金属环和介质芯层。一种双环硅通孔的制造方法，包…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种数字喷射雾化沉积装置雾化沉积装置包括数字流体发生器、数字射流导管、雾化气体喷射管和沉积靶。数字流体发生器产生稳定的气泡和液滴间隔流动，并由数字射流导管向雾化气体…… 查看详细 >
一种高性能透明导电电极和电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法
技术简介： 摘要：本发明公开了一种高性能透明导电电极和电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法，包括玻璃衬底以及依次层叠设置在玻璃衬底上的透明导电氧化物电极、金属氧化物电子传输层、钙钛矿光吸收层…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种高质量金属氧化物电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法，包括玻璃衬底以及依次层叠设置在玻璃衬底上的透明导电氧化物电极、金属氧化物电子传输层、钙钛矿光吸收层、空…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开一种柔性薄膜温差电池及其制作方法。所述制作方法首先是将第一、第二柔性绝缘基片进行清洗，再在第一、第二柔性绝缘基片上分别镀制上P型热电薄膜和N型热电薄膜，并在所述的P型…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法，其中，所述方法包括步骤A、将铜靶安装在磁控溅射设备的靶位上，通入高纯氧气和高纯氩气进行反应性共溅射，生成氧化亚铜薄膜；B、将所述氧化…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种用于光电器件的高效散热基板，从其导电层进行散热，依次由导热绝缘层、金属基板和碳基材料涂层层叠组合而成复合散热基板，其中导热绝缘层的另一侧表面与光电器件的导电层…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种电网输电断面确定方法和装置，所述方法包括确定电网中所有的电压主导度的局部极值点；依次移除具有最大电气耦合强度且有功潮流方向一致的输电线路，直至所述电网解裂出新的子网…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种石墨碳/QDs/Si复合异质结晶硅片的制备方法，其首先采用溶胶法将半导体氧化物量子点吸附在石墨纳米晶表面，然后将其作为晶种生长液，在晶硅片上生长沉积。该方法中半导体…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明一种基于SiC衬底片深刻蚀光滑表面的加工工艺，涉及宽禁带半导体材料深刻蚀技术领域。其包括对衬底进行清洗；光刻图形转移技术在SiC衬底片上进行图形化；超高真空磁控溅射种子层Ni/C…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型涉及一种阳极抬高的LIGBT器件，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区的N+抬高，并且将阳极N+和阳极P+之间用介质隔离。这种新型的阳极N+抬高的结构一方面在保证器件…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种基于绝缘体上硅（SOI）使用到阳极弱反型层的新型横向绝缘栅双极晶体管（AWIL‑LIGBT）及其制备方法，采用阳极弱反型结构用来消除负阻效应。相对于常规SA‑LIGBT，本发明阳极多…… 查看详细 >
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