技术简介： 本发明公开了一种利用多层薄膜型电子源的平面气体激发光源。所述平面气体激发光源包括由玻璃材料制成的前基板(1)和后基板(2)；所述前基板(1)或后基板(2)上设置有能产生表面电子发射的电子源；所…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种表面传导电子发射源结构及其制作方法，属于平板显示器制造技术领域。表面传导电子发射源结构包括沉积在基板上的一对对称的器件电极，在器件电极上沉积有电子发射薄膜，电子发射…… 查看详细 >
技术简介： 一种抗PID的晶体硅太阳电池组件及制备方法，包括从下向上依次设置的低铁压花钢玻璃、第一封装胶膜、整个电池片、第二封装胶膜和背板，所述的电池片周围设置一圈导电保护环，其中，所述整个电池…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种超宽带减反膜及其制备方法，包括衬底；衬底表面形成有微孔阵列；微孔阵列上制备有一层ITO纳米线薄膜。本发明利用激光微加工技术在衬底表面制备一定间距阵列的微孔结构，再在其上…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器，包括金属电极、微透镜阵列及半导体材料基底；微透镜阵列设置于半导体材料基底上；金属电极对称地制作在微透镜阵列中每一个微透镜的…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种波形微通道式换热器换热器其特征在于，包括基座（2）以及与基座（2）配合使用的盖板（3）；其中，基座（2）与盖板（3）的配合面的中心处开设有波形微通道（201），波形微通道（…… 查看详细 >
技术简介： 基于金属球压接互连技术的电力电子集成模块的制备方法，首先将MOSFET管芯焊接在钼片上；在Al2O3基板形成需要的电路图形，然后把钼片焊接到Al2O3基板上，将MOSFET管芯的栅极引出；铜箔电极焊接在…… 查看详细 >
技术简介： 一种应变垂直MOS器件的制造方法，在衬底上完成图形转移，再形成金属掩膜，通过进行刻蚀形成硅柱，减小硅柱直径，制备硅纳米线，并生长栅氧化层；淀积多晶硅、掺杂并激活杂质离子，形成环状栅极…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于红外光远程充电的柔性植入式电源的制造方法，先在热释电薄膜上制作微阵列结构，然后在结构化的热释电薄膜上下两面的一端各溅射一层金属薄膜，在结构化的热释电薄膜上下两面制备透明电极…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种基于自旋塞贝克效应的热电转换器件结构，包括基本U型结构；基本U型结构包括由下至上或者由上至下依次设置的第一磁性层、电极层和第二磁性层；第一磁性层由第一正自旋塞贝克系数磁…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种发光半导体器件，包括N型半导体和依次设置于N型半导体一侧上的有源区、P型半导体和P电极，P型半导体具有粗糙表面，且在P型半导体的粗糙表面上采用PVD镀有光提取镀层，N电极设置…… 查看详细 >
技术简介： 一种光吸收增强的开口型硅薄膜球壳阵列结构的制备方法，在基材表面制备一层金属材料，在金属层表面制备紧密排列的单层二氧化硅纳米的粒子阵列，然后在粒子阵列上沉积硅薄膜，在硅薄膜表面制备聚…… 查看详细 >
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