技术简介： 本实用新型涉及一种阳极抬高的LIGBT器件，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区的N+抬高，并且将阳极N+和阳极P+之间用介质隔离。这种新型的阳极N+抬高的结构一方面在保证器件…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种基于绝缘体上硅（SOI）使用到阳极弱反型层的新型横向绝缘栅双极晶体管（AWIL‑LIGBT）及其制备方法，采用阳极弱反型结构用来消除负阻效应。相对于常规SA‑LIGBT，本发明阳极多…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了硅衬底悬空LED直波导耦合集成光子器件及其制备方法，该光子器件包括硅衬底层，在其上形成外延缓冲层，在外延缓冲层上形成P‑N结，p‑GaN层上设置有p‑电极，在n‑GaN层上表面通过刻…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高集成度的单光子雪崩二极管探测器阵列单元，该阵列单元是共用深n阱结构，即：将4个SPAD器件制作在同一个深n阱里，共用阴极n+接触孔，每个SPAD器件采用正八边形结构，并进行蜂…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种同时具备存储和整流的有机二极管电存储器件和方法，该器件在阳极-介质层界面间增加一层缓冲层，整个器件从上到下依次是：金属阴极、介质层、阳极缓冲层、ITO阳极衬底，这一结构…… 查看详细 >
技术简介： 申请公开了一种具有生物突触模拟功能的有机二极管柔性忆阻器器件及其制备方法，该器件在阴极‑介质层界面间增加一层修饰层，整个器件从上到下依次是金属阴极层、修饰层、介质层、阳极电极层和PE…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种卟啉忆阻器，该卟啉忆阻器为阳极、阻变层、阴极的三层结构，阻变层位于阳极和阴极的中间，其包含卟啉作为活性薄膜层，该活性薄膜层提供传输电子和离子的双重功能，阻变层还包括…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器，在玻璃基底的上表面镀有ITO膜层，ITO膜层上设有活性层，活性层上设有金属电极，活性层为二硫化钼与另一种半导体材料组成的纳米复合材料，…… 查看详细 >
一种磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体复合材料及应用
技术简介： 一种具备电场调控磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料，由Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体组成；压电材料为Pb(Zr,Ti)O3(PZT)或0.7Pb(Mn1/3Nb2/3)O3‑0.3PbTiO3(PMN‑PT)；Ni‑…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种Bi2Sr2CaCu2O8单个约瑟夫森表面结的制备方法，将BSCCO单晶置于热蒸发的真空环境中进行解理，解理后迅速热蒸发金电极，直接光刻图形，通过氩离子束刻蚀的方法刻蚀掉图形区域之外…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种极化敏感的高效超导纳米线单光子探测器，包括硅基底、金膜反射层、二氧化硅介质腔、NbN纳米线和耦合反对称分裂环谐振器，其中由下至上依次为所述硅基底、金膜反射层、二氧化硅…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器，包括衬底；介质半反镜，结合于所述衬底表面；下光学腔体，结合于所述介质半反镜表面；介质包裹层，结合于所述下光学腔体表面…… 查看详细 >
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