技术简介： 摘要：本发明公开了一种石墨碳/QDs/Si复合异质结晶硅片的制备方法，其首先采用溶胶法将半导体氧化物量子点吸附在石墨纳米晶表面，然后将其作为晶种生长液，在晶硅片上生长沉积。该方法中半导体…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明一种基于SiC衬底片深刻蚀光滑表面的加工工艺，涉及宽禁带半导体材料深刻蚀技术领域。其包括对衬底进行清洗；光刻图形转移技术在SiC衬底片上进行图形化；超高真空磁控溅射种子层Ni/C…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型涉及医疗设备领域，尤其是一种肌电采集装置。肌电采集装置包括基体，以及设置于所述基体上的织物传感器，其包括与肌肉界面接触的电极层以及与其电连接的导电片，用于肌肉运动信息的采…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型提供一种紧固治具，其包括：底座，其两侧分别连接有一个支撑件；连接在两个所述支撑件的上端之间的压杆座，所述压杆座与所述底座平行设置，所述压杆座上开有多个上下贯穿的滑槽，多个…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种LED芯片制作方法及LED芯片，其中该LED芯片制作方法在LED芯片制作过程中，在LED芯片衬底的上下表面各制作一个发光单元。该LED芯片衬底的上下表面各有一个发光单元。本发明的LED…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种薄膜型太阳能电池表面自对准电极的制造方法，在衬底上依次制作形成金属背电极层、光吸收层、缓冲层、高阻层及导电窗口层，并在相应位置开设沟槽，可以得到串联设置的太阳能电池组…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供的半导体功率器件的散热封装结构，具有盛装冷却液的散热壳体，散热壳体的盖板的内侧设置散热组件进而形成流体通道，同时，盖板的另一侧成为半导体功率器件的基板，即，本发明中散热封…… 查看详细 >
技术简介： 本申请公开了一种碳纳米管发射阴极制备方法及碳纳米管发射阴极，包括将石墨烯、作为催化剂的金属可溶性无机盐按照预定比例加入有机溶剂中，制得带正电荷的石墨烯电泳溶液；使用导电基板作为阴极…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种碳纳米管复合薄膜场发射阴极的制备方法，包括：S1、制备碳纳米管/TiC/Ti复合材料；S2、将碳纳米管/TiC/Ti复合材料和纳米填充颗粒按质量比5：1-1：5混合，混合物加入到有机溶剂…… 查看详细 >
技术简介： 本申请公开了一种冷阴极聚焦型X射线管，包括壳体、阴极单元、栅极单元、聚焦单元和阳极单元，所述壳体具有内腔，所述栅极单元和所述聚焦单元由下到上设置在所述壳体内，并将所述内腔由下到上分…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种CT系统及其冷阴极X射线管。上述的冷阴极X射线管包括壳体、阳极以及循环组件；壳体开设有腔体；阳极位于腔体内，阳极与壳体连接使腔体分隔为第一部分和第二部分，第一部分填充有冷…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种碳纳米管阴极的制备方法，以及通过该方法得到碳纳米管阴极。所述制备方法包括在导电基板上电泳沉积粘结剂层；在沉积粘结剂层的导电基板上电泳沉积碳纳米管薄膜；在真空或保护气…… 查看详细 >
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